PECVD管式炉，等离子体增强化学汽相沉积管式炉
PECVD 系统的设计是为了降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置，电离反应气体，产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。这个系统叫做 PECVD。
该型号是博纳热最新产品，综合了大多数 PECVD 炉系统的优点，在 PECVD 炉系统前增加了预热区。试验表明，沉积速度快，膜层质量好，孔洞少，不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统，操作方便，功能强大。
PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能，可扩展等离子清洗蚀刻等功能。
PECVD管式炉特点
- 高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术，大大提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达1000s.
- 高面积均匀性: 先进的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等，使薄膜均匀性指数达到8%.
- 高浓度: 使用先进的设计概念的半导体产业，一个沉积基板之间的偏差小于2%.
- 高过程稳定性: 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程。
PECVD管式炉标准配件
- 插管4支
- 炉管1根
- 真空泵1件
- 真空密封法兰2套
- 真空计1件
- 气体输送和真空泵
- 射频等离子体设备
可选配件
- 快卸法兰，三通法兰
- 7英寸高清触摸屏
PECVD管式炉技术规格
| 一、技术参数 | |
| 型号 | BR-PECVD-500A |
| 加热长度和恒温区长度 | 440mm, 200mm |
| 炉管尺寸 | Ф100x1650mm （炉管直径可根据实际需要定制） |
| 最高工作温度 | 1200 oC (<1小时) |
| 长期工作温度 | ≤1100℃ |
| 电压及额定功率 | 单相，220V，50Hz |
| 控温方式
| 51段可编程控温，PID参数自整定， 操作界面为10”工控电脑，内置PLC控制程序， 可将温控系统、滑轨炉滑动（时间和距离）设定为程序控制。 |
| 控温精度 | ± 1 oC |
| 温度均匀度 | ± 5 oC |
| 加热速率 | ≦20 oC /分钟 |
| 热电偶 | K型 （热电偶保护管为纯度 99.7%的刚玉管） |
| 加热元件 | HRE电阻丝 |
| 真空度 | 工作真空度10-2 Pa (冷态及保温) 极限真空度10-3 Pa (极限真空度） |
| 炉膛材料 | 氧化铝、高温纤维制品 |
| 二、射频电源 | |
| 信号频率 | 13.56 MHz±0.005% |
| 功率输出范围 | 500W |
| 最大反射功率 | 500W |
| 射频输出接口 | 50 Ω, N-type, female |
| 功率稳定度 | ±0.1% |
| 谐波分量 | ≤-50dbc |
| 供电电压 | 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
| 整机效率 | >=70% |
| 功率因素 | >=90% |
| 冷却方式 | 强制风冷 |
| 三、三路质子流量控制系统 | |
| 外形尺寸 | 600x600x650mm |
| 连接头类型 | 双卡套不锈钢接头 |
| 标准量程（N2) | 100sccm，100sccm、200sccm；200sccm （可根据用户要求定制） |
| 准确度 | ±1.5% |
| 线性 | ±0.5～1.5% |
| 重复精度 | ±0.2% |
| 响应时间 | 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
| 工作压差范围 | 0.1～0.5 MPa |
| 最大压力 | 3MPa |
| 接口 | Φ6,1/4” |
| 显示 | 4位数字显示 |
| 工作环境温度 | 5~45高纯气体 |
| 压力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
| 截止阀 | Φ6 |
| 内外双抛不锈钢管 | Φ6 |
| 包含低真空系统 | |
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